برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

» :: برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

چکیده

در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.

خرید و دانلود محصول

1394/07/27

---

فناوری نانو , CMOS 65 , New Subthreshold Concepts in 65nm CMOS Technology , CMOS Technology , Subthreshold Concepts , مقاله برق , مقاله برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک

---

لینک محصول

http://kavoshgar.zepo.ir/post/14802

لینک منبع :برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری - تمام ... www.allfiles.blogsky.com/1395/04/28/post-6593/‎Cached18 جولای 2016 ... در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن ... دانلود برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ... persianfiles.ir/برق-23-مباحث-جدید-زیرآستانه-ای-در-فناوری-cmo/‎Cached13 آگوست 2016 ... برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری برقوق برقع برقة اماراتی برقعی گرفتگی صنعتی شیراز تهران 23com 235 ... برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 ... ftamadon94a.saharstore.ir/page-56453.html‎Cached13 آگوست 2012 ... برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری . .. ترجمه مقاله جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری تراشه هاى نیمه هادى- . دانلود مقاله : مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری isiarticles.com/article/53003‎Cachedمقاله ISI انگلیسی شماره 53003 - ترجمه شده - موضوع : فناوری CMOS - 5 صفحه - سال انتشار ... دسته بندی موضوعی مقالات ISI · سایر موضوعات مهندسی برق و الکترونیک · فناوری CMOS ... مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ... توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. فرم خرید برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری https://selz.ir/.../3397090-فرم-خرید-برق-23-مباحث-جدید-زیرآستانه-ای-در-فناوری-cmos-65-نانومتری‎Cachedفرم خرید برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری محدوده قیمت از 14000 تومان از فروشگاه اورانوس. دانلود مقاله ترجمه شده مهندسی برق با عنوان مباحث جدید زیرآستانه ای shop.amardtarjome.ir/product/تحقیق-آماده-مهندسی-برق/‎Cached26 جولای 2016 ... برچسب: ترجمه مقاله, ترجمه مقاله مهندسی برق, دانلود ترجمه مقاله برق, ... عنوان مقاله ترجمه شده به فارسی: مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ... در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% ... مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى ... download.collegeprojects.ir/articles/644‎Cached12 جولای 2016 ... مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى 65 نانومتری ... کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. ... در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد ... رشته: برق و الکترونیک فرمت فایل ترجمه شده: Word شمار صفحه: 32 ... مقاله ترجمه شده مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری 65CMOS نانومتری farafile.ir/.../مقاله-ترجمه-شده-مباحث-جدید-زیر-آستانه-ای-در-فناوری-65cmos-نانومتری‎Cachedمقاله ترجمه شده مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری 65CMOS نانومتری ... دسته بندی: فنی و مهندسی » برق، الکترونیک و مخابرات ... در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. ... توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری cite.dl19.ir/.../برق-23-مباحث-جدید-زیرآستانه-ای-در-فناوری-cmo.html‎Cached13 آگوست 2012 ... مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتریچکیدهدر این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS ... ترجمه مقاله مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نیمه هادى اکسید فلزى ... english.futurearticle.ir/articles/9165‎Cached13 مه 2016 ... ترجمه مقاله مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نیمه هادى اکسید فلزى ... مخابرات میدان و برق مخابرات, ولتاژ پایین, کم توان, زیرآستانه, مقیاس نانو ... that the power consumption decreases by at least 23% compared with other flip-flops. ... کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود.