برق 102. تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

» :: برق 102. تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

چکیده__ در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه ی سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.

خرید و دانلود محصول

1394/08/02

---

تکنولوژی CMOS , نانو وایر , سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم , عامل ناخالصی , Dopant-Independent , Voltage-Selectable Silicon- Nanowire-CMOS Technology , Reconfigurable Logic Applications , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی

---

لینک محصول

http://kavoshgar.zepo.ir/post/15661