دانلود انواع فایل
مقاله تحقیق پروژه دانش آموزی و دانشجوییدانلود انواع فایل
مقاله تحقیق پروژه دانش آموزی و دانشجوییترانزیستور اثر میدانی
ترانزیستور اثر میدانی
فصل اول
مشخصات JFET
1ـ1 مقدمه
ترانزیستور اثر میدانی (یا به اختصار FET) قطعه‌ای سه پایانه است که در موارد بسیاری بکار می‌رود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT رقابت می‌کند. اگرچه اختلافات مهمی بین این دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود دارد که در بخشهای بعد به آن اشاره خواهد شد.
اختلاف نخست بین او دو نوع ترانزیستور در آن است که ترانزیستور BJT همانگونه که در شکل (الف 1ـ1) نشان داده شد یک قطعه کنترل جریان است، در حالیکه ترانزیستور JFET همانگونه که در شکل (ب 1ـ1) دیده می‌شود یک قطعه کنترل ولتاژ است. به بیان دیگر، جریان IC در شکل (الف 1ـ1) تابع مستقیم مقدار IB است. در FET جریان I تابعی از ولتاژ VGS است که مطابق شکل (ب 1ـ1) به ورودی مدار اعمال می‌شود. در هر حالت جریان مدار خروجی با یک پارامتر ورودی کنترل می‌شود. در یک حالت بوسیله جریان و در دیگری بوسیله ولتاژ اعمال شده.
شکل (1ـ1) (الف) تقویت کننده کنترل جریان (ب) تقویت کننده کنترل ولتاژ
درست مانند ترانزیستورهای npn و pnp قطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی نیز از دو نوع کانال n و کانال p هستند. از اینرو، مهم است به خاطر داشته باشید که ترانزیستور BJT یک قطعه دو قطبی (bipolar) است. یعنی میزان هدایت در آن تابع دو نوع حامل است: الکترونها و حفره‌ها. FET قطعه‌ای تک‌قطبی است که فقط به هدایت اکلترون در (کانال n) و یا حفره (کانال p) وابسته است.
عبارت «اثر میدانی در نام این ترانزیستور با خود توضیحاتی را بهمراه دارد. ما همه با توانایی یک مغناطیس دائمی آشنا هستیم که براده‌های فلزی را بدون تماس واقعی به سوی خود می‌کشد. میدان مغناطیسی یک مغناطیس دائمی براده‌های آهن را در امتداد خطوط شار مغناطیسی جذب می‌کند. در FET، بوسیله بارهای آن میدان الکتریکی بوجود می‌آید که مسیر هدایت جریان خروجی را کنترل می‌کند بدون تماس مستقیم بین کنترل کننده و کمیتهای کنترل شونده.
این تمایل طبیعی است که دومین قطعه را با تعدادی از کاربردهای مشابه قطعه اول معرفی کرده و برخی مشخصه‌های آن را با هم مقایسه کنیم. یکی از مهمترین شاخصه‌ای FET، امپدانس ورودی زیاد آن است. مقاومت ورودی آن در اندازه‌های 1 تا چند صد مگااهم از مقاومت ورودی ترانزیستور BJT بیشتر می‌شود. و این شاخصه‌ای است که در طراحی سیستمهای تقویت ac خطی بسیار مهم است. به به عبارت دیگر، با ولتاژ اعمال شده یکسان تغییر در جریان خروجی معمولاً برای BJT بیشتر از FETها است. به همین دلیل، معمولاً بهره ولتاژ ac تقویت کننده‌های BJT خیلی بیشتر از FETهاست. بطور کلی، FETها در مقابل حرارت با ثبات‌تر از BJTها هستند. FETها معمولاً از نظر ساختمان از BJTها کوچکترند و این امر بطور ویژه کاربردشان را در تراشه‌های مدار مجتمع (آی‌سی) کارآمد می‌سازد. مشخصه‌های ساختمان برخی FETها در بکارگیری آنها بسیار موثر است.
دو نوع FET در این فصل معرفی می‌شود: ترانزیستور اثر میدانی پیوندی (JFET) و ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلز (MOS-FET)، دسته MOSFET خود به دو نوع تهی و افزایشی تقسیم می‌شوند که هر دو نوع آن شرح داده می‌شوند. ترانزیستور MOSFET یکی از مهمترین قطعات مورد استفاده در طراحی و ساخت مدارهای مجتمع کامپیوترهاست. ثبات حرارتی، و دیگر مشخصه‌های اصلی آنها، کاربردشان را در طراحی مدارهای کامپیوتری متداول ساخته است.
2ـ1ـ ساختمان و مشخصه‌های JFETها
همانگونه که پیش از این نشان داده شد، JFET یک قطعه سه پایانه است که یک پایانه آن قادر است جریان بین دو پایانه دیگر را کنترل کند. در ترانزیستور JFET، قطعة با کانال n به مثابه قطعه اصلی و مهم به تفصیل شرح داده خواهد شد ولی بخش‌هایی برای توضیح JFET کانال p نیز اختصاص خواهد داشت.
ساختمان اصلی JFET کانال n در شکل (2ـ1) نشان داده شده است. توجه کنید که قسمت اصلی ساختمان JFET را ماده کانال n تشکیل می‌دهد که لایه‌های ماده نوع P در طرفین آن جای داده شده است. قسمت فوقانی کانال n بوسیله یک اتصال اهمی به پایانه‌ای به نام درین (D) متصل است. دو ماده نوع p به یکدیگر و به پایانه‌ای موسوم به گیت (G) وصل است. بنابراین، اساساً درین و سورس به دو انتهای کانال نوع n و گیت به دو لایه نوع p وصل می‌شود. در نبودن یک پتانسیل و تغذیه نشدن، JFET دارای دو پیوند p-n است. در نتیجه یک ناحیه تهی مطابق شکل (2ـ1) در هر پیوند بوجود می‌آید که به ناحیه مشابه آن در دیود بدون ولتاژ شباهت دارد. به یاد داشته باشید که ناحیه تهی، ناحیه‌ای است خالی از حاملهای آزاد و بنابراین ناتوان از هدایت در این ناحیه.
مثالهای مکانیکی بندرت درست هستند و اغلب گمراه کننده‌اند، اما در شکل (3ـ1) نحوه کنترل گیت FET را و علت نامگذاری پایانه‌های این قطعه نشان داده شده است. فشار منبع آب به ولتاژ اعمال شده از درین به سورس تشبیه شده است که جریان آب (الکترونها) را از طریق توپی (سورس) ایجاد می‌کند. گیت از طریق سیگنال اعمال شده (پتانسیل)، جریان آب (بار) را به «درین» کنترل می‌کند. مطابق شکل (2ـ1) پایانه‌های درین و سورس در دو انتهای کانال n قرار گرفته‌اند.
word: نوع فایل
سایز: 1.32 MB
تعداد صفحه:85
خرید فایل
ادامه مطلب ...
دانلود فرم برداشت کالبدی در تحقیقات میدانی
دانلود فرم برداشت کالبدی در تحقیقات میدانی
دانلود فرم برداشت کالبدی در تحقیقات میدانی ...
ادامه مطلب ...
بررسی میدانی روابط فشار - دبی مورد استفاده درمدلهای تحلیل هیدرولیکی مبتنی بر فشارشبکه های توزیع آب
بررسی میدانی روابط فشار - دبی مورد استفاده درمدلهای تحلیل هیدرولیکی مبتنی بر فشارشبکه های توزیع آب
مشخصات نویسندگان مقاله بررسی میدانی روابط فشار - دبی مورد استفاده درمدلهای تحلیل هیدرولیکی مبتنی بر فشارشبکه های توزیع آب اکبر شیرزاد - دانشگاه تهران مسعود تابش (شناسه پژوهشگر - Researcher ID: ۳۳۲) دانشگاه تهران چکیده مقاله: یکی ازاجزای مهممدلها تحلیل هیدرولیکی مبتنی برفشار شبکه ...
ادامه مطلب ...
نقش دولت در اقتصاد و توسعه بازاریابی؛ مطالعه میدانی: تجربه ایران
نقش دولت در اقتصاد و توسعه بازاریابی؛ مطالعه میدانی: تجربه ایران
عنوان مقاله: نقش دولت در اقتصاد و توسعه بازاریابی؛ مطالعه میدانی: تجربه ایران فرمت فایل: word تعداد صفحات: 39 شرح مختصر: هدف این مقاله بررسی نقش دولت ها در فعالیت های اقتصادی و بازرایابی و همچنین خط مشی بازرگانی این دولت ها در برنامه های اقتصادی می باشد.تعریف نقش دولت و یا بازار ...
ادامه مطلب ...
بررسی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی
بررسی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی
چکیده ای از مقدمه آغازین rdquo; پایان نامه بررسی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی rdquo; بدین شرح است: با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده not;ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ...
ادامه مطلب ...
بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی
خرید و دانلود محصول
1395/03/26
الماس , بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولولههای کربنی , پایان نامه رشته برق , پراکندگی الکترون فونون , تابع توزیع الکترون , ترازهای انرژی گرافیت , ترانزیستورهای اثر میدانی , چگالی حالات در نانولوله ی کربنی , دانلود پایان نامه رشته الکترونیک , رابطهی پاش
لینک محصول
http://kavoshgar.zepo.ir/post/58451 ادامه مطلب ...
بازدید میدانی اولین چاه نفتی ایران
این گزارش جالب درمورد اولین چاه ایران استمسجد سلیمان
اولین چاه نفتی ایران
خرید و دانلود محصول
1394/07/25
گزارش , نفت
لینک محصول
http://kavoshgar.zepo.ir/post/14208 ادامه مطلب ...
تحلیل و تحقیق میدانی یک فرهنگسرا
تحلیل و تحقیق میدانی یک فرهنگسرا خرید و دانلود محصول 1395/02/20
تحلیل , و , تحقیق , میدانی , یک
ادامه مطلب ...