بررسی آثار تزویج در آرایه ای ازآنتن های سیمی برای کاربرد در رادار پسیو

بررسی آثار تزویج در آرایه ای ازآنتن های سیمی برای کاربرد در رادار پسیو

عنوان تحقیق: بررسی آثار تزویج در آرایه shy;ای از آنتن shy; های سیمی برای کاربرد در رادار پسیو فرمت فایل: word تعداد صفحات: 114 شرح مختصر: همواره آشکارسازی اهدافی که از دید بصری مصون هستند مورد توجه بوده است. برای شناسایی اهداف می shy;توان از امواج الکترومغناطیس استفاده کرد. اولین قدم ...

دریافت فایل

برق 114. مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری Ge-on-SOI با تزویج میرا شونده بر روی پلات-فرم CMOS سیلیکونی

» :: برق 114. مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری Ge-on-SOI با تزویج میرا شونده بر روی پلات-فرم CMOS سیلیکونی

مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری Ge-on-SOI با تزویج میرا شونده بر روی پلات-فرم CMOS سیلیکونی

چکیده__طراحی و ساخت آشکارساز نور ژرمانیوم-روی-سیلیکون-روی-عایق (SOI) (منظور آشکارسازی با لایه های به ترتیب ژرمانیوم، سیلیکون و عایق بر روی یکدیگر)، با تزویج میرا شونده که بطور یکپارچه مجتمع شده است و مدارات CMOS، بر روی پلات-فرم های (پایگاه های) SOI رایج با استفاده از روش مجتمع سازی "نخست-الکترونی و سپس-فوتونی" ساخته شده است. آشکارساز نور با کارایی بالا، با یک موجبر سیلیکونی مجتمع شده، بر روی لایه همبافته جذب کننده-ژرمانیوم که بر روی یک لایه SOI بسیار نازک بطور هدفمند رشد داده شده است، نشان داده شده است. معیارهای عملکرد طراحی آشکارساز نور را که پیکربندی های PIN عمودی و جانبی را نمایان می کنند، مورد تحقیق قرار گرفته اند. زمانی که در بایاس -1.0 v کار می کند، یک آشکارساز PIN عمودی دارای جریان Idark کمتر از ∼0.57میکرو آمپر می باشد؛در حالی که یک آشکارساز PIN جانبی مقداری کمتر از حد بالایی 1 میکروآمپری متناوب _که برای گیرنده های-سرعت-بالا قابل قبول است_ دارد. پاسخ دهی بسیار سریع ∼0.92 A/W، در هر دو طراحی آشکارساز به ازای طول موج 1550 نانومتر بدست آمده است، که درای بازده ی کوآنتومی 73% می باشد. اندازه گیری های پاسخ ضربه نشان دادند که آشکارساز PIN عمودی، در نیم-حداکثر ∼24.4 ps در یک آشکارساز PIN جانبی، به یک تمام-عرض کوچک تر افزایش پیدا می کند، که در -3 dB با پهنای باند 11.3 گیگاهرتز انجام می پذیرد. آن طور که پیداست، تاخیر زمان RC، مهم ترین عامل در پایین آوردن عملیت سرعت می باشد. به علاوه اندازه گیری طرح چشم (ترتیب باینری شبه تصادفی 2^7-1)، دستیابی آشکار سازی نوری سرعت-بالا و کم-نویز را در سرعت ذره ای (بیت ریت) 8.5 گیگابایت بر ثانیه تحقیق می کند. همچنین مشخصه های انتقال و خروجی بسیار خوب، با مدارات مجتمع (آی سی ها) اینورتر CMOS، به اضافه عملکرد های درست منطقی، بدست آمده است. معرفی یک بادجت حرارتی اضافی (800 درجه سیلیسیوس) منتج شده از رشد همبافتی ژرمانیوم، اثر زیان آور قابل مشاهده ای کنترل کانال-کوتاه مدار اینورتر CMOS ندارد. ما همچنین، مباحث مربوط به مجتمع سازی یکپارچه را روشن سازی کرده و در مورد پتانسیل گیرنده آشکارساز-Ge/CMOS سلیکون برای کاربردهای مخابراتی فیبر نوری آینده، بحث خواهیم کرد.

خرید و دانلود محصول

1394/08/03

---

پلات-فرم CMOS سیلیکونی , تزویج میرا شونده , آشکارساز نوری Ge-on-SOI , Ge-on-SOI , بادجت کم-حرارتی , Low Thermal Budget Monolithic Integration , Evanescent-Coupled Ge-on-SOI Photodetector , Si CMOS Platform , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق بال ترجمه , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی

---

لینک محصول

http://kavoshgar.zepo.ir/post/15708