CMOS Integrated Switching Power Converters

CMOS Integrated Switching Power Converters

نام کامل کتاب:CMOS Integrated Switching Power Converters, A Structured Design Approach نویسنده:Gerard Villar Pique, Eduard Alarcon ناشر:Springer تاریخ انتشار:2011 ...

دریافت فایل

دانلود پروژه کارشناسی : تقویت کننده سی موس CMOS Amplifier

دانلود پروژه کارشناسی : تقویت کننده سی موس CMOS Amplifier

دانلود پروژه کارشناسی : تقویت کننده سی موس CMOS Amplifier (قابل ویرایش ) فصل اول ndash; مقدمه: در این فصل به توضیحاتی در خصوص فصول مختلف پایان نامه می پردازیم. فصل دوم ndash; کلیات: در این بخش از پایان نامه به توضیحاتی کلی در خصوص تقویت کننده های عملیاتی و تکنولوژی CMOS به کمک مراجع ...

دریافت فایل

پایان نامه CMOS Amplifier

پایان نامه CMOS Amplifier

عنوان پایان نامه:CMOS Amplifier دانشکده برق - پروژه کارشناسی قالب بندی: word تعداد صفحات: 61 شح مختصر: فصل اول ndash; مقدمه: در این فصل به توضیحاتی در خصوص فصول مختلف پایان نامه می پردازیم. فصل دوم ndash; کلیات: در این بخش از پایان نامه به توضیحاتی کلی در خصوص تقویت کننده های عملیاتی و ...

دریافت فایل

مروری بر سنسورهای تصویری CMOS

مروری بر سنسورهای تصویری CMOS

از سال 1960 میلادی ، کاربرد سنسورهای تصویریCMOS به کلی تغییر نمود به طوری که امروزه این تکنولوژی در حال رقابت با فناوری Charged Couple Device(CCD) می باشد. مزایای سنسورتصویری CMOS نسبت به CCD،مصرف توان کم ،هزینه کمتر،قابلیت مجتمع شدن با دیگر مدارات در یک تراشه و معایب آن نسبت به CCD، وجود نویز ...

دریافت فایل

برق 118. ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر CMOS جدید

» :: برق 118. ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر CMOS جدید

ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر CMOS جدید

چکیده__ چهار ضرب کننده ولتاژ برمبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهای عبور PMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند. ضرب کننده های ولتاژ ارایه شده که عملیات یکسوسازها و پمپ های شارژ را با هم انجام می دهند، بازده ی تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه های واکنشی (غیر فعال یا پسیو) را کاهش می دهد، بنابر این برای ساخت آی سی مناسب می باشند. ضرب کننده ولتاژ با ولتاژ خروجی مثبت، توسط فرآیندهای TSMC 0.35μm CMOS 2P4M پیاده سازی شده، و نتایج آزمایشی نیز مطابقت خوبی با تجزیه و تحلیل های نظری داشتند. سطح تراشه ی بدون پد، به ازای ولتاژ خروجی مثبت پنج-مرحله ای ضرب کننده ولتاژ، تنها 1.75×1.32 mm2 می باشد.

خرید و دانلود محصول

1394/08/03

---

ضرب کننده ولتاژ , اینورتر CMOS جدید , CMOS , CMOS Inverter-Based Voltage Multipliers , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی

---

لینک محصول

http://kavoshgar.zepo.ir/post/15713

برق 113. LECTOR: روشی برای کاهش نشتی در مدارات CMOS

» :: برق 113. LECTOR: روشی برای کاهش نشتی در مدارات CMOS

LECTOR: روشی برای کاهش نشتی در مدارات CMOS

چکیده___در مدارات سیموس،کاهش ولتاژ آستانه به دلیل مقیاس بندی ولتاژ،منتهی به جریان نشتی زیرآستانه و در نتیجه تلفات توان ایستا (استاتیک) می شود. در اینجا ما روشی تازه به نام LECTOR برای طراحی گیت های سیموس که به طور قابل توجهی جریان نشتی را بدون افزایش تلفات توان پویا (دینامیک) کاهش می دهد، ارایه می کنیم. در روش پیشنهاد شده ما،دو ترنزیستور کنترل نشتی (یکی نوع n و دیگری نوع p) در درون دروازه های منطقی که ترمینال گیت هر ترانزیستور کنترل نشتی (LCT) توسط منبع گیت دیگر کنترل می شود را معرفی می کنیم. در این آرایش،یکی از LCTها (منظور ترانزیستورهای کنترل نشتی) همیشه به ازای هر ترکیب ورودی،نزدیک به ولتاژ قطع می باشد. این مقاومت مسیر Vdd به گراند را کاهش داده،که این منجر به کاهش چشمگیر جریان نشتی می شود. نت لیست سطح-گیت مدار داده شده،نخست به یک پیاده سازی گیت پیچیده ی CMOS استاتیک تبدیل شده،و سپس LCTها به منظور دستیابی به یک مدار کنترل نشتی معرفی می شوند. ویژگی قابل توجه LECTOR این است که در هر دو حالت فعال و غیرفعال مدار،فعال می باشد که این منجر به کاهش نشتی بهتری نسبت به روش های دیگر می شود. همچنین،روش ارایه شده، دارای محدودیت های کمتری نسبت به دیگر روش های موجود برای کاهش نشتی دارد. نتایج تجربی نشان دهنده ی یک کاهش نشتی متوسط 79.4 درصدی را برای مدارات محک(بنچ مارک) MCNC’91 نشان می دهند.

خرید و دانلود محصول

1394/08/03

---

LECTOR , CMOS , کاهش نشتی , مدارات CMOS , Technique , Leakage Reduction , CMOS Circuits , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی

---

لینک محصول

http://kavoshgar.zepo.ir/post/15706

برق 96. تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده

» :: برق 96. تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده

تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده

چکیده__در این مقاله، ما یک اینورتر CMOS غیر-معمولی ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال (JL) و یک ترانزیستور را با فرآیند ساده و چگالی بالای مدار مجتمع، ارایه می دهیم. در اینورتر CMOS غیر-معمولی، به ترتیب، NMOSFET JL به عنوان تحریک و ترانزیستور به عنوان یک بار، عمل می کند. ما بنابر اطلاعات اندازه گیری شده ی ترانزیستور ، خط بار اینورتر CMOS را ترسیم کرده و دریافتیم که ترانزیستور می تواند در مدارات CMOS به منظور بهبود مسایل مربوط به CMOS های مرسوم امروزی، استفاده شود. به علاوه، کاهش سطح 46.1% نیز دست اور دیگر ما است.

خرید و دانلود محصول

1394/08/02

---

CMOS , NMOSFET , اینورتر , ترانزیستور کنترل شده , ترانزیستور , Characterization , Novel Non-traditional CMOS Inverter Composed , Junctionless NMOSFET , Gated N+.N-.P Transistor , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک

---

لینک محصول

http://kavoshgar.zepo.ir/post/15646

برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

» :: برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

چکیده

در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.

خرید و دانلود محصول

1394/07/27

---

فناوری نانو , CMOS 65 , New Subthreshold Concepts in 65nm CMOS Technology , CMOS Technology , Subthreshold Concepts , مقاله برق , مقاله برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک

---

لینک محصول

http://kavoshgar.zepo.ir/post/14802

Design and Modeling of Millimeter-Wave CMOS Circuits for Wireless Transceivers

» :: Design and Modeling of Millimeter-Wave CMOS Circuits for Wireless Transceivers

طراحی و مدلسازی مدارهای CMOS موج میلی متری برای فرستنده گیرنده های بی سیم مبتنی بر تکنولوژی های زیر 100 نانومتر

Design and Modeling of Millimeter-Wave CMOS Circuits
for Wireless Transceivers

خرید و دانلود محصول

1394/06/02

---

CMOS , Millimeter-Wave , Wireless , Transceivers

---

عنوان کتاب : Design and Modeling of Millimeter-Wave CMOS Circuits for Wireless Transceivers Era of Sub-100nm Technology | ناشر : Springer | سال انتشار : 2008 | تعداد فصل : 12 |

لینک محصول

http://kavoshgar.zepo.ir/post/3766